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Seite 115/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
BFG10/X,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V Frequenz - Übergang: 1.9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager6.426
BFG135,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 7GHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager2.610
BFG135AE6327XT Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 6GHZ SOT223-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 9dB ~ 14dB Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager7.506
BFG 193 E6433 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT223-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 10.5dB ~ 16dB Leistung - max: 600mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager4.122
BFG 196 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT223-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 9dB ~ 14.5dB Leistung - max: 800mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager5.598
BFG198,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager5.652
BFG 19S E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 14dB ~ 8.5dB Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 210mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager3.870
BFG21W,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 18GHZ CMPAK-4 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 18GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 600mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: CMPAK-4	Auf Lager7.614
BFG 235 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT223-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB @ 900MHz Gewinn: 12.5dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 200mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: PG-SOT223-4	Auf Lager4.176
BFG25AW/X,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 5GHZ 4SO Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.5mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket: 4-SO	Auf Lager4.950
BFG25A/X,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 32mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 500µA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.5mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager3.150
BFG310W/XR,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz Gewinn: 18dB Leistung - max: 60mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: CMPAK-4	Auf Lager4.572
BFG310/XR,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 2GHz Gewinn: 18dB Leistung - max: 60mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-143R Lieferantengerätepaket: SOT-143R	Auf Lager3.096
BFG31,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 15V 5GHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 70mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager3.060
BFG325W/XR,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz Gewinn: 18.3dB Leistung - max: 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: CMPAK-4	Auf Lager6.408
BFG325/XR,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz Gewinn: 18.3dB Leistung - max: 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-143R Lieferantengerätepaket: SOT-143R	Auf Lager7.200
BFG35,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 4GHZ SOT223 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 100mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket: SOT-223	Auf Lager23.748
BFG403W,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 17GHZ CMPAK-4 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 17GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn: 20dB ~ 22dB Leistung - max: 16mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 3mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.6mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: CMPAK-4	Auf Lager8.838
BFG410W,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 22GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 54mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: CMPAK-4	Auf Lager7.722
BFG410W,135 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 22GHZ CMPAK-4 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 22GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn: 21dB Leistung - max: 54mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: CMPAK-4	Auf Lager6.534
BFG424F,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ 4SO Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn: 23dB Leistung - max: 135mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket: 4-SO	Auf Lager7.542
BFG424W,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn: 22dB Leistung - max: 135mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: CMPAK-4	Auf Lager2.178
BFG425W,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn: 20dB Leistung - max: 135mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: CMPAK-4	Auf Lager3.438
BFG425W,135 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn: 20dB Leistung - max: 135mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: CMPAK-4	Auf Lager3.492
BFG480W,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 21GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn: 16dB Leistung - max: 360mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 80mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: CMPAK-4	Auf Lager5.382
BFG480W,135 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 21GHZ CMPAK-4 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 21GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn: 16dB Leistung - max: 360mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 80mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: CMPAK-4	Auf Lager4.482
BFG505,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 18mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager6.768
BFG505/X,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 18mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager5.742
BFG505/X,235 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 18mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager8.712
BFG520,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager2.100

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