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Transistoren

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Beschreibung
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AT-41486-BLKG
AT-41486-BLKG

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 18dB
  • Leistung - max: 500mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-86
  • Lieferantengerätepaket: 86 Plastic
Auf Lager3.762
AT-41486-TR1G
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Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 18dB
  • Leistung - max: 500mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-86
  • Lieferantengerätepaket: 86 Plastic
Auf Lager4.176
AT-41486-TR2G
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Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 18dB
  • Leistung - max: 500mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-86
  • Lieferantengerätepaket: 86 Plastic
Auf Lager2.214
AT-41500-GP4
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Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ DIE

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 8dB ~ 17dB
  • Leistung - max: 500mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60mA
  • Betriebstemperatur: 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: Die
  • Lieferantengerätepaket: Die
Auf Lager3.312
AT-41511-BLKG
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Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V SOT143

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
  • Gewinn: 11dB ~ 15.5dB
  • Leistung - max: 225mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager4.428
AT-41511-TR1
AT-41511-TR1

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V SOT143

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
  • Gewinn: 11dB ~ 15.5dB
  • Leistung - max: 225mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager3.400
AT-41511-TR1G
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Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V SOT143

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
  • Gewinn: 11dB ~ 15.5dB
  • Leistung - max: 225mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager7.524
AT-41511-TR2G
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Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V SOT143

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
  • Gewinn: 11dB ~ 15.5dB
  • Leistung - max: 225mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager2.790
AT-41532-BLKG
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Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V SC70-3

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 15.5dB
  • Leistung - max: 225mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SC-70-3
Auf Lager8.046
AT-41532-TR1
AT-41532-TR1

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V SC70-3

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 15.5dB
  • Leistung - max: 225mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SC-70-3
Auf Lager4.950
AT-41532-TR1G
AT-41532-TR1G

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V SC70-3

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 15.5dB
  • Leistung - max: 225mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SC-70-3
Auf Lager5.094
AT-41532-TR2G
AT-41532-TR2G

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V SC70-3

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 15.5dB
  • Leistung - max: 225mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SC-70-3
Auf Lager3.708
AT-41533-BLKG
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Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V SOT23

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 14.5dB
  • Leistung - max: 225mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager8.280
AT-41533-TR1
AT-41533-TR1

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V SOT23

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 14.5dB
  • Leistung - max: 225mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager8.514
AT-41533-TR1G
AT-41533-TR1G

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V SOT23

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 14.5dB
  • Leistung - max: 225mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager7.092
AT-41533-TR2G
AT-41533-TR2G

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V SOT23

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 14.5dB
  • Leistung - max: 225mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager8.640
AT-41535G
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Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 10dB ~ 18dB
  • Leistung - max: 500mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 4-SMD (35 micro-X)
  • Lieferantengerätepaket: 35 micro-X
Auf Lager5.148
AT-41586-BLKG
AT-41586-BLKG

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 8dB ~ 17dB
  • Leistung - max: 500mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-86
  • Lieferantengerätepaket: 86 Plastic
Auf Lager6.372
AT-41586-TR1G
AT-41586-TR1G

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 8dB ~ 17dB
  • Leistung - max: 500mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-86
  • Lieferantengerätepaket: 86 Plastic
Auf Lager5.760
AT-41586-TR2G
AT-41586-TR2G

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 8dB ~ 17dB
  • Leistung - max: 500mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-86
  • Lieferantengerätepaket: 86 Plastic
Auf Lager6.444
AT-42000-GP4
AT-42000-GP4

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ CHIP

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 10.5dB ~ 14dB
  • Leistung - max: 600mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Betriebstemperatur: 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: Die
  • Lieferantengerätepaket: Chip
Auf Lager3.186
AT-42010
AT-42010

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 100SMD

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 10dB ~ 13.5dB
  • Leistung - max: 600mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Betriebstemperatur: 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 4-SMD (100 mil)
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager7.866
AT-42035G
AT-42035G

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 10dB ~ 13.5dB
  • Leistung - max: 600mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 4-SMD (35 micro-X)
  • Lieferantengerätepaket: 35 micro-X
Auf Lager6.894
AT-42036-BLKG
AT-42036-BLKG

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 36 MICRO X

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 10dB ~ 13.5dB
  • Leistung - max: 600mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 4-SMD (36 micro-X)
  • Lieferantengerätepaket: 36 micro-X
Auf Lager3.366
AT-42036-TR1G
AT-42036-TR1G

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 36 MICRO X

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 10dB ~ 13.5dB
  • Leistung - max: 600mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 4-SMD (36 micro-X)
  • Lieferantengerätepaket: 36 micro-X
Auf Lager8.136
AT-42070
AT-42070

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 70 MIL PKG

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 10.5dB ~ 14dB
  • Leistung - max: 600mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Betriebstemperatur: 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 4-SMD (70 mil)
  • Lieferantengerätepaket: 70 mil Package
Auf Lager6.606
AT-42085G
AT-42085G

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 85 PLASTIC

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 9.5dB ~ 13.5dB
  • Leistung - max: 500mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 4-SMD (85 Plastic)
  • Lieferantengerätepaket: 85 Plastic
Auf Lager7.070
AT-42086-BLKG
AT-42086-BLKG

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 13dB
  • Leistung - max: 500mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-86
  • Lieferantengerätepaket: 86 Plastic
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AT-42086-TR1G
AT-42086-TR1G

Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 13dB
  • Leistung - max: 500mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-86
  • Lieferantengerätepaket: 86 Plastic
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Broadcom

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC

  • Hersteller: Broadcom Limited
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 13dB
  • Leistung - max: 500mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 35mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-86
  • Lieferantengerätepaket: 86 Plastic
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