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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
AT-64000-GP4 Broadcom	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V BIPOLAR CHIP Hersteller: Broadcom Limited Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.092
AT-64020 Broadcom	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 200SMD Hersteller: Broadcom Limited Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD (200 mil BeO) Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.214
AT-64023 Broadcom	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 230 MIL BE0 Hersteller: Broadcom Limited Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 110mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD (230 mil BeO) Lieferantengerätepaket: 230 mil Be0	Auf Lager7.416
BF199 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.060
BF199_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.258
BF199_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 1.1GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 38 @ 7mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.380
BF240 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.243
BF240,112 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 150MHZ TO92-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 150MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.652
BF240_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.592
BF240_J35Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.400
BF240_ND74Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 1.1GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.694
BF494 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.266
BF494_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.160
BF494_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 67 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.106
BF 770A E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 9.5dB ~ 14.5dB Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 90mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.328
BF771E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 10dB ~ 15dB Leistung - max: 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.724
BF 775 E6327 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn: 10.5dB ~ 16dB Leistung - max: 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 45mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.294
BF776E6327FTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 46GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager7.992
BF776H6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.7V Frequenz - Übergang: 46GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 180 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: PG-SOT343-4	Auf Lager24.888
BF799E6327HTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT23-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz Gewinn: - Leistung - max: 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager8.964
BF799WE6327BTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz Gewinn: - Leistung - max: 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager2.538
BF799WH6327XTSA1 Infineon Technologies	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3 Hersteller: Infineon Technologies Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 100MHz Gewinn: - Leistung - max: 280mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: PG-SOT323-3	Auf Lager3.348
BF959 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Gewinn: - Leistung - max: 625mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.650
BF959G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Gewinn: - Leistung - max: 625mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.896
BF959RL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Gewinn: - Leistung - max: 625mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.544
BF959RL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Gewinn: - Leistung - max: 625mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.124
BF959ZL1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Gewinn: - Leistung - max: 625mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.434
BF959ZL1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 700MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 200MHz Gewinn: - Leistung - max: 625mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.650
BFG10,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 1.9GHZ SOT143B Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V Frequenz - Übergang: 1.9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket: SOT-143B	Auf Lager7.434
BFG10W/X,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 1.9GHZ 4SO Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 1.9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket: 4-SO	Auf Lager4.788

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