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BF776E6327FTSA1

BF776E6327FTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BF776E6327FTSA1
PNEDA Teilenummer BF776E6327FTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ SOT343-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.992
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BF776E6327FTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBF776E6327FTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BF776E6327FTSA1, BF776E6327FTSA1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 504,44 KB)
PDFBF776E6327FTSA1 Datenblatt Cover
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BF776E6327FTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.7V
Frequenz - Übergang46GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Gewinn24dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce180 @ 30mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketPG-SOT343-4

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-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

58W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 40mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120mA

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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NXP USA Inc.

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

270mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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-

Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB ~ 7.1dB

Leistung - max

720W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

19.8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Lieferantengerätepaket

M218

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

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