PRF957,115
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| Teilenummer | PRF957,115 |
| PNEDA Teilenummer | PRF957-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.544 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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PRF957 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PRF957,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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PRF957 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 8.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 270mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 5mA, 6V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-323-3 |
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Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz Gewinn 11dB ~ 13dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 2.7V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 16mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz Gewinn 10dB ~ 13.5dB Leistung - max 600mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 35mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD (36 micro-X) Lieferantengerätepaket 36 micro-X |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.5V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9dB Leistung - max 10W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M115 Lieferantengerätepaket M115 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 17.5dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
