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UPA806T-T1

UPA806T-T1

Nur als Referenz

Teilenummer UPA806T-T1
PNEDA Teilenummer UPA806T-T1
Beschreibung RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO
Hersteller CEL
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Auf Lager 4.842
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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UPA806T-T1 Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUPA806T-T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
UPA806T-T1, UPA806T-T1 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 735,98 KB)
PDFUPA806T-A Datenblatt Cover
UPA806T-A Datenblatt Seite 2 UPA806T-A Datenblatt Seite 3 UPA806T-A Datenblatt Seite 4 UPA806T-A Datenblatt Seite 5 UPA806T-A Datenblatt Seite 6

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UPA806T-T1 Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang12GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce75 @ 10mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket6-SO

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

100MHz ~ 500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB ~ 10dB

Leistung - max

140W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55JT

Lieferantengerätepaket

55JT

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

2.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

25dB

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

BFR93AWH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

10.5dB ~ 15.5dB

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Gewinn

9dB ~ 14.5dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

BFR340FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 2.4GHz

Gewinn

13dB ~ 28dB

Leistung - max

75mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

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