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2SC5508-A

2SC5508-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC5508-A
PNEDA Teilenummer 2SC5508-A
Beschreibung RF TRANS NPN 3.3V 25GHZ SOT343F
Hersteller CEL
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SC5508-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC5508-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC5508-A, 2SC5508-A Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 1.263,12 KB)
PDF2SC5508-A Datenblatt Cover
2SC5508-A Datenblatt Seite 2 2SC5508-A Datenblatt Seite 3 2SC5508-A Datenblatt Seite 4 2SC5508-A Datenblatt Seite 5 2SC5508-A Datenblatt Seite 6 2SC5508-A Datenblatt Seite 7 2SC5508-A Datenblatt Seite 8 2SC5508-A Datenblatt Seite 9 2SC5508-A Datenblatt Seite 10

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2SC5508-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3.3V
Frequenz - Übergang25GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 2GHz
Gewinn19dB
Leistung - max115mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 5mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343F
Lieferantengerätepaket-

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M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

33V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

80W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Gewinn

9dB ~ 15.5dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

870MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 9.5dB

Leistung - max

2.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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