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BFU610F,115

BFU610F,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFU610F,115
PNEDA Teilenummer BFU610F-115
Beschreibung RF TRANS NPN 5.5V 15GHZ 4DFP
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.002
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU610F Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU610F,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU610F, BFU610F Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 126,3 KB)
PDFBFU610F Datenblatt Cover
BFU610F Datenblatt Seite 2 BFU610F Datenblatt Seite 3 BFU610F Datenblatt Seite 4 BFU610F Datenblatt Seite 5 BFU610F Datenblatt Seite 6 BFU610F Datenblatt Seite 7 BFU610F Datenblatt Seite 8 BFU610F Datenblatt Seite 9 BFU610F Datenblatt Seite 10 BFU610F Datenblatt Seite 11

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BFU610F Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5.5V
Frequenz - Übergang15GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Gewinn13.5dB ~ 23.5dB
Leistung - max136mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce90 @ 1mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343F
Lieferantengerätepaket4-DFP

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.8dB

Leistung - max

75W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.5A

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M214

Lieferantengerätepaket

M214

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

120W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

355C-02

Lieferantengerätepaket

355C-02, Style 1

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

BFR 360T E6327

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

210mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

PG-SC-75

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

18mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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