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MS2213

MS2213

Nur als Referenz

Teilenummer MS2213
PNEDA Teilenummer MS2213
Beschreibung RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M214
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.292
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 13 - Nov 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MS2213 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMS2213
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MS2213 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)55V
Frequenz - Übergang960MHz ~ 1.215GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7.8dB
Leistung - max75W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 1A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3.5A
Betriebstemperatur250°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallM214
LieferantengerätepaketM214

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

9dB ~ 14.5dB

Leistung - max

800mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

18dB ~ 22dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Lieferantengerätepaket

TO-92S

2A8

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

21V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB ~ 9dB

Leistung - max

5.3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55EU

Lieferantengerätepaket

55EU

MS2588

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BFQ19,115

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 70mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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