MS2213
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| Teilenummer | MS2213 |
| PNEDA Teilenummer | MS2213 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M214 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.292 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MS2213 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS2213 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS2213 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 55V |
| Frequenz - Übergang | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 7.8dB |
| Leistung - max | 75W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 15 @ 1A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 3.5A |
| Betriebstemperatur | 250°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M214 |
| Lieferantengerätepaket | M214 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 21V Frequenz - Übergang 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB ~ 9dB Leistung - max 5.3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55EU Lieferantengerätepaket 55EU |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn 18dB ~ 22dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket TO-92S |
