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KSC2786YBU

KSC2786YBU

Nur als Referenz

Teilenummer KSC2786YBU
PNEDA Teilenummer KSC2786YBU
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.650
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

KSC2786YBU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSC2786YBU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
KSC2786YBU, KSC2786YBU Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 72,26 KB)
PDFKSC2786RTA Datenblatt Cover
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KSC2786YBU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang600MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3dB ~ 5dB @ 100MHz
Gewinn18dB ~ 22dB
Leistung - max250mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 Short Body
LieferantengerätepaketTO-92S

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

Gewinn

7dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

NE68130-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

BFU520XAR

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.7dB @ 900MHz

Gewinn

20dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

44086H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

32mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 500µA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.5mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

Kürzlich verkauft

MAX811REUS-T

MAX811REUS-T

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LTC1625CS#PBF

LTC1625CS#PBF

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B41458B8229M000

B41458B8229M000

TDK-EPCOS

CAP ALUM 22000UF 20% 63V SCREW

MMBT2369LT1G

MMBT2369LT1G

ON Semiconductor

TRANS NPN 15V 0.2A SOT23

NDT454P

NDT454P

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ASVTX-12-A-38.400MHZ-I15-T

ASVTX-12-A-38.400MHZ-I15-T

Abracon

XTAL OSC VCTCXO 38.4000MHZ SNWV

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TPSD227K006R0100

CAP TANT 220UF 10% 6.3V 2917

TL1014BF160QG

TL1014BF160QG

E-Switch

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 12V

CMS16(TE12L,Q,M)

CMS16(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 40V 3A MFLAT

EEU-FR1E101B

EEU-FR1E101B

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM 100UF 20% 25V RADIAL

AD5421BREZ

AD5421BREZ

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IC DAC 16BIT V-OUT 28TSSOP

0251002.NRT1L

0251002.NRT1L

Littelfuse

FUSE BRD MNT 2A 125VAC/VDC AXIAL