BFG25A/X,215
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| Teilenummer | BFG25A/X,215 |
| PNEDA Teilenummer | BFG25A-X-215 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5V 5GHZ SOT143B |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.150 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFG25A/X Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFG25A/X,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFG25A/X Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5V |
| Frequenz - Übergang | 5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 32mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 500µA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 6.5mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-253-4, TO-253AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-143B |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.3V Frequenz - Übergang 5.8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz Gewinn 14dB ~ 21dB Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket M04 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 19dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket PG-SOT323-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.03GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB ~ 10.5dB Leistung - max 3400W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55SW Lieferantengerätepaket 55SW |
