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AT-32033-TR1G

AT-32033-TR1G AT-32033-TR1G

Nur als Referenz

Teilenummer AT-32033-TR1G
PNEDA Teilenummer AT-32033-TR1G
Beschreibung RF TRANS NPN 5.5V SOT23
Hersteller Broadcom
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Auf Lager 5.220
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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AT-32033-TR1G Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT-32033-TR1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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AT-32033-TR1G Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5.5V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB ~ 1.3dB @ 900MHz
Gewinn11dB ~ 12.5dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 2mA, 2.7V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)32mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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Serie

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Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

63V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.73dB ~ 8.85dB

Leistung - max

130W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

15.5dB

Leistung - max

210mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2.4GHz

Gewinn

13.1dB

Leistung - max

220mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

155 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

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5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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16-SOIC

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