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BFR 181W E6327

BFR 181W E6327

Nur als Referenz

Teilenummer BFR 181W E6327
PNEDA Teilenummer BFR-181W-E6327
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 7.200
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFR 181W E6327 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR 181W E6327
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BFR 181W E6327 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinn19dB
Leistung - max175mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketPG-SOT323-3

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

235MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

340W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 7A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-121B

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6.1V

Frequenz - Übergang

1.85GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.6dB @ 1.8GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

1.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Gewinn

12.5dB ~ 21dB @ 450MHz

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

22.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

50mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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