BFT92,215
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFT92,215 |
| PNEDA Teilenummer | BFT92-215 |
| Beschreibung | RF TRANS PNP 15V 5GHZ TO236AB |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.416 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFT92 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFT92,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFT92 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 2.5dB @ 500MHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 14mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 25mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6.5dB Leistung - max 1458W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 22A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M112 Lieferantengerätepaket M112 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 22V Frequenz - Übergang 3.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6dB ~ 6.3dB Leistung - max 9W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 420mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.2A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55BT Lieferantengerätepaket 55BT |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 2GHz Gewinn 18.3dB Leistung - max 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket CMPAK-4 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2.3dB @ 1GHz Gewinn 8.3dB Leistung - max 1.8W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 125 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 19dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
