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23A025

23A025

Nur als Referenz

Teilenummer 23A025
PNEDA Teilenummer 23A025
Beschreibung RF TRANS NPN 22V 3.7GHZ 55BT
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.700
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23A025 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer23A025
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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23A025 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)22V
Frequenz - Übergang3.7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn6dB ~ 6.3dB
Leistung - max9W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 420mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.2A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall55BT
Lieferantengerätepaket55BT

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MS2284

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

45GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz

Gewinn

-

Leistung - max

220mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

155 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-DFP

HFA3096B96

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

3 NPN + 2 PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V, 15V

Frequenz - Übergang

8GHz, 5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

SOT-343F

FMMTH10TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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