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BFU760F,115

BFU760F,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFU760F,115
PNEDA Teilenummer BFU760F-115
Beschreibung RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.988
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 25 - Nov 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU760F Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU760F,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU760F, BFU760F Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 122,97 KB)
PDFBFU760F Datenblatt Cover
BFU760F Datenblatt Seite 2 BFU760F Datenblatt Seite 3 BFU760F Datenblatt Seite 4 BFU760F Datenblatt Seite 5 BFU760F Datenblatt Seite 6 BFU760F Datenblatt Seite 7 BFU760F Datenblatt Seite 8 BFU760F Datenblatt Seite 9 BFU760F Datenblatt Seite 10 BFU760F Datenblatt Seite 11

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BFU760F Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2.8V
Frequenz - Übergang45GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Gewinn-
Leistung - max220mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce155 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343F
Lieferantengerätepaket4-DFP

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

1.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

BFR360FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

15.5dB

Leistung - max

210mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

PG-TSFP-3

DME375A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.5dB

Leistung - max

375W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW

Lieferantengerätepaket

55AW

2SC39320SL

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

20dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SMini3-G1

MMBTH24

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 8mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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