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BFU760F,115

BFU760F,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFU760F,115
PNEDA Teilenummer BFU760F-115
Beschreibung RF TRANS NPN 2.8V 45GHZ 4DFP
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.988
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 8 - Apr 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU760F Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU760F,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU760F, BFU760F Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 122,97 KB)
PDFBFU760F Datenblatt Cover
BFU760F Datenblatt Seite 2 BFU760F Datenblatt Seite 3 BFU760F Datenblatt Seite 4 BFU760F Datenblatt Seite 5 BFU760F Datenblatt Seite 6 BFU760F Datenblatt Seite 7 BFU760F Datenblatt Seite 8 BFU760F Datenblatt Seite 9 BFU760F Datenblatt Seite 10 BFU760F Datenblatt Seite 11

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BFU760F Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2.8V
Frequenz - Übergang45GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.4dB ~ 0.5dB @ 1.5GHz ~ 2.4GHz
Gewinn-
Leistung - max220mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce155 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343F
Lieferantengerätepaket4-DFP

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Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

33V

Frequenz - Übergang

225MHz ~ 400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.9db ~ 10dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

55HV

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/343

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Gewinn

12.5dB ~ 21dB @ 450MHz

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-72-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

2SC39320SL

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

20dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

1000 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SMini3-G1

2SC3583-A

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

1.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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