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2SC3357-T1-A

2SC3357-T1-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC3357-T1-A
PNEDA Teilenummer 2SC3357-T1-A
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
Hersteller CEL
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Auf Lager 6.876
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SC3357-T1-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC3357-T1-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC3357-T1-A, 2SC3357-T1-A Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 1.645,96 KB)
PDFNE85634-T1-RF-A Datenblatt Cover
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2SC3357-T1-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang6.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.8dB @ 1GHz
Gewinn10dB
Leistung - max1.2W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89

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-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

55GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 12GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

136mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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4-DFP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10.8dB

Leistung - max

90W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 2.5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

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STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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