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ON5088,115

ON5088,115

Nur als Referenz

Teilenummer ON5088,115
PNEDA Teilenummer ON5088-115
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 55GHZ 4DFP
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.862
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ON5088 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerON5088,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
ON5088, ON5088 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 68,5 KB)
PDFON5088 Datenblatt Cover
ON5088 Datenblatt Seite 2 ON5088 Datenblatt Seite 3 ON5088 Datenblatt Seite 4 ON5088 Datenblatt Seite 5 ON5088 Datenblatt Seite 6 ON5088 Datenblatt Seite 7 ON5088 Datenblatt Seite 8 ON5088 Datenblatt Seite 9

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ON5088 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang55GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 12GHz
Gewinn13dB
Leistung - max136mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce160 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343F
Lieferantengerätepaket4-DFP

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Frequenz - Übergang

1.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

3.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 50mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-39

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

2N3866A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 100mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89-3

70061A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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