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AT-41486-TR1G

AT-41486-TR1G

Nur als Referenz

Teilenummer AT-41486-TR1G
PNEDA Teilenummer AT-41486-TR1G
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 8GHZ 86 PLASTIC
Hersteller Broadcom
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Auf Lager 4.176
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AT-41486-TR1G Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT-41486-TR1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
AT-41486-TR1G, AT-41486-TR1G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 98,88 KB)
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AT-41486-TR1G Datenblatt Seite 2 AT-41486-TR1G Datenblatt Seite 3 AT-41486-TR1G Datenblatt Seite 4 AT-41486-TR1G Datenblatt Seite 5

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AT-41486-TR1G Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
Gewinn9dB ~ 18dB
Leistung - max500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-86
Lieferantengerätepaket86 Plastic

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

1.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

SD1224-02

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.6dB

Leistung - max

60W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M113

Lieferantengerätepaket

M113

MS2587

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

0510-50A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

27V

Frequenz - Übergang

500MHz ~ 1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

50W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.7A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

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Chassis Mount

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55AV

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