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0510-50A

0510-50A

Nur als Referenz

Teilenummer 0510-50A
PNEDA Teilenummer 0510-50A
Beschreibung RF TRANS 27V 1GHZ 55AV
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.082
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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0510-50A Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer0510-50A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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0510-50A Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Transistortyp-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)27V
Frequenz - Übergang500MHz ~ 1GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7dB
Leistung - max50W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 500mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3.7A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall55AV
Lieferantengerätepaket55AV

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB

Leistung - max

60W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

211-07

Lieferantengerätepaket

211-07, STYLE 1

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

90mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-3

Lieferantengerätepaket

M13

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

20GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB

Leistung - max

735mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 100mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

SOT-343F

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.3V

Frequenz - Übergang

21GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Gewinn

14dB

Leistung - max

115mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

BFU520WF

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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