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NE664M04-A

NE664M04-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE664M04-A
PNEDA Teilenummer NE664M04-A
Beschreibung RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F
Hersteller CEL
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Auf Lager 8.028
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE664M04-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE664M04-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE664M04-A, NE664M04-A Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 2.260,58 KB)
PDF2SC5754-A Datenblatt Cover
2SC5754-A Datenblatt Seite 2 2SC5754-A Datenblatt Seite 3 2SC5754-A Datenblatt Seite 4 2SC5754-A Datenblatt Seite 5 2SC5754-A Datenblatt Seite 6 2SC5754-A Datenblatt Seite 7 2SC5754-A Datenblatt Seite 8 2SC5754-A Datenblatt Seite 9 2SC5754-A Datenblatt Seite 10 2SC5754-A Datenblatt Seite 11

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NE664M04-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5V
Frequenz - Übergang20GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn12dB
Leistung - max735mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 100mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343F
LieferantengerätepaketSOT-343F

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

8.3dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

-

MS2267

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 8.7dB

Leistung - max

575W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M214

Lieferantengerätepaket

M214

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

17GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

20dB ~ 22dB

Leistung - max

16mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 3mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.6mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

23dB

Leistung - max

135mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343 Reverse Pinning

Lieferantengerätepaket

4-SO

MS2477

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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