NE664M04-A
Nur als Referenz
| Teilenummer | NE664M04-A |
| PNEDA Teilenummer | NE664M04-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5V 20GHZ SOT343F |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.028 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NE664M04-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NE664M04-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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NE664M04-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5V |
| Frequenz - Übergang | 20GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 12dB |
| Leistung - max | 735mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 100mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-343F |
| Lieferantengerätepaket | SOT-343F |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.7dB @ 2GHz Gewinn 13dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn 23dB Leistung - max 135mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 25mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket 4-SO |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 18mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
