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MS2477

MS2477

Nur als Referenz

Teilenummer MS2477
PNEDA Teilenummer MS2477
Beschreibung RF POWER TRANSISTOR
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 4.806
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MS2477 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMS2477
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MS2477 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Transistortyp-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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64054H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

3-SuperMiniMold (19)

0912-25

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB ~ 10dB

Leistung - max

125W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55CT

Lieferantengerätepaket

55CT

JANTXV2N2857

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/343

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Gewinn

12.5dB ~ 21dB @ 450MHz

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-72

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