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BFR360FH6765XTSA1

BFR360FH6765XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFR360FH6765XTSA1
PNEDA Teilenummer BFR360FH6765XTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.654
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFR360FH6765XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR360FH6765XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BFR360FH6765XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)9V
Frequenz - Übergang14GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB @ 1.8GHz
Gewinn15.5dB
Leistung - max210mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce90 @ 15mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-723
LieferantengerätepaketPG-TSFP-3

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2SC4808G0L

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 800MHz

Gewinn

11dB ~ 14dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F3

MAPRST0912-350

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.4dB

Leistung - max

350W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MMBT918LT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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