EC3H02BA-TL-H
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| Teilenummer | EC3H02BA-TL-H |
| PNEDA Teilenummer | EC3H02BA-TL-H |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3-ECSP1006 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.590 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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EC3H02BA-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EC3H02BA-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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EC3H02BA-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB @ 1GHz |
| Gewinn | 8.5dB |
| Leistung - max | 100mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 20mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-XFDFN |
| Lieferantengerätepaket | 3-ECSP1006 |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.7dB @ 2GHz Gewinn 16dB Leistung - max 205mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 20mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket SOT-343F |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz Gewinn - Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-623F Lieferantengerätepaket M03 |
