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AT-42070

AT-42070

Nur als Referenz

Teilenummer AT-42070
PNEDA Teilenummer AT-42070
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 8GHZ 70 MIL PKG
Hersteller Broadcom
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Auf Lager 6.606
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AT-42070 Ressourcen

Marke Broadcom
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAT-42070
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
AT-42070, AT-42070 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 137,75 KB)
PDFAT-42070 Datenblatt Cover
AT-42070 Datenblatt Seite 2 AT-42070 Datenblatt Seite 3 AT-42070 Datenblatt Seite 4 AT-42070 Datenblatt Seite 5

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AT-42070 Technische Daten

HerstellerBroadcom Limited
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
Gewinn10.5dB ~ 14dB
Leistung - max600mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 35mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80mA
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD (70 mil)
Lieferantengerätepaket70 mil Package

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

7dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

MDS60L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

120W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW

Lieferantengerätepaket

55AW

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.8dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 40mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343 Reverse Pinning

Lieferantengerätepaket

4-SO

AT-41486-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Gewinn

9dB ~ 18dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

86 Plastic

1000MP

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10.8dB

Leistung - max

5.3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55FW

Lieferantengerätepaket

55FW

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