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MX0912B351Y,114

MX0912B351Y,114

Nur als Referenz

Teilenummer MX0912B351Y,114
PNEDA Teilenummer MX0912B351Y-114
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
Hersteller Ampleon
Stückpreis
1 ---------- $2.340,1499
50 ---------- $2.230,4554
100 ---------- $2.120,7608
200 ---------- $2.011,0663
400 ---------- $1.919,6542
500 ---------- $1.828,2421
Auf Lager 281
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MX0912B351Y Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMX0912B351Y,114
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MX0912B351Y, MX0912B351Y Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 76,5 KB)
PDFMX0912B351Y Datenblatt Cover
MX0912B351Y Datenblatt Seite 2 MX0912B351Y Datenblatt Seite 3 MX0912B351Y Datenblatt Seite 4 MX0912B351Y Datenblatt Seite 5 MX0912B351Y Datenblatt Seite 6 MX0912B351Y Datenblatt Seite 7 MX0912B351Y Datenblatt Seite 8 MX0912B351Y Datenblatt Seite 9 MX0912B351Y Datenblatt Seite 10 MX0912B351Y Datenblatt Seite 11

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MX0912B351Y Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang1.215GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7.6dB
Leistung - max960W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)21A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-439A
LieferantengerätepaketCDFM2

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

37GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

10.5dB ~ 21.5dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 80mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

MICROSS/On Semiconductor

Serie

*

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.8V

Frequenz - Übergang

22GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Gewinn

10dB ~ 14.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN

Lieferantengerätepaket

TSLP-6-1

BFS17HTC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

MS2870

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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