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MS2200

MS2200

Nur als Referenz

Teilenummer MS2200
PNEDA Teilenummer MS2200
Beschreibung RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.534
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MS2200 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMS2200
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MS2200 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang400MHz ~ 500MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn9.7dB
Leistung - max1167W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 5A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)43.2A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallM102
LieferantengerätepaketM102

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

30MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

127W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

19 @ 1.4A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.25A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

MPS5179_D26Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2SC3583-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB ~ 7.1dB

Leistung - max

720W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

19.8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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