MS2200
Nur als Referenz
| Teilenummer | MS2200 |
| PNEDA Teilenummer | MS2200 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.534 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MS2200 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS2200 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS2200 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 65V |
| Frequenz - Übergang | 400MHz ~ 500MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 9.7dB |
| Leistung - max | 1167W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 5A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 43.2A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M102 |
| Lieferantengerätepaket | M102 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB @ 2GHz Gewinn 9dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.9dB @ 2GHz Gewinn 9.4dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 24GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.25dB @ 1.8GHz Gewinn 15.5dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
