MSC1350M
Nur als Referenz
| Teilenummer | MSC1350M |
| PNEDA Teilenummer | MSC1350M |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.680 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MSC1350M Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MSC1350M |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MSC1350M Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 65V |
| Frequenz - Übergang | 1.025GHz ~ 1.15GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 7dB ~ 7.1dB |
| Leistung - max | 720W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 15 @ 1A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 19.8A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M218 |
| Lieferantengerätepaket | M218 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6.7dB Leistung - max 880W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Betriebstemperatur 250°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 2NLFL Lieferantengerätepaket 2NLFL |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4V Frequenz - Übergang 10GHz ~ 12.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz Gewinn 9.5dB ~ 10.5dB @ 2GHz Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-81 Lieferantengerätepaket 3-SSFP |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 9dB ~ 14.5dB Leistung - max 800mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.3dB @ 500MHz Gewinn - Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 70mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6dB @ 200MHz Gewinn 24dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
