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2SC5509-T2-A

2SC5509-T2-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC5509-T2-A
PNEDA Teilenummer 2SC5509-T2-A
Beschreibung RF TRANS NPN 3.3V 15GHZ SOT343
Hersteller CEL
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Auf Lager 6.876
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2SC5509-T2-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC5509-T2-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC5509-T2-A, 2SC5509-T2-A Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 1.417,29 KB)
PDF2SC5509-A Datenblatt Cover
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2SC5509-T2-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3.3V
Frequenz - Übergang15GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 2GHz
Gewinn14dB
Leistung - max190mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343F
LieferantengerätepaketSOT-343

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

USM

SD1275

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

BFP420H6801XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

PH1090-550S

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.06dB

Leistung - max

550W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

HFA3135IHZ96

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5.2dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

26mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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