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SD1275

SD1275

Nur als Referenz

Teilenummer SD1275
PNEDA Teilenummer SD1275
Beschreibung RF TRANS NPN 16V M135
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SD1275 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSD1275
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
SD1275, SD1275 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 105,04 KB)
PDFSD1275 Datenblatt Cover
SD1275 Datenblatt Seite 2 SD1275 Datenblatt Seite 3 SD1275 Datenblatt Seite 4 SD1275 Datenblatt Seite 5 SD1275 Datenblatt Seite 6 SD1275 Datenblatt Seite 7

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SD1275 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)16V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn9dB
Leistung - max70W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 250mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)8A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallM135
LieferantengerätepaketM135

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

10W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

6.5dB ~ 11dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

2SC5536A-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

1.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 150MHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 3mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-81

Lieferantengerätepaket

3-SSFP

BFR183E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

Gewinn

14dB ~ 16dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

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