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MRF553GT

MRF553GT

Nur als Referenz

Teilenummer MRF553GT
PNEDA Teilenummer MRF553GT
Beschreibung RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.434
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF553GT Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF553GT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MRF553GT, MRF553GT Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 140,33 KB)
PDFMRF553T Datenblatt Cover
MRF553T Datenblatt Seite 2 MRF553T Datenblatt Seite 3 MRF553T Datenblatt Seite 4 MRF553T Datenblatt Seite 5

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MRF553GT Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)16V
Frequenz - Übergang175MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn11.5dB
Leistung - max3W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 250mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPower Macro
LieferantengerätepaketPower Macro

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9.2V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

23dB

Leistung - max

1.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

3-PowerMiniMold

MS1003

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

136MHz ~ 175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M111

Lieferantengerätepaket

M111

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

BFP540ESDE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

30GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

MS2608

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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