NESG250134-T1-AZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | NESG250134-T1-AZ |
| PNEDA Teilenummer | NESG250134-T1-AZ |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 9.2V 10GHZ 3MIIMOLD |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.814 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NESG250134-T1-AZ Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NESG250134-T1-AZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
NESG250134-T1-AZ, NESG250134-T1-AZ Datenblatt
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NESG250134-T1-AZ Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 9.2V |
| Frequenz - Übergang | 10GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 23dB |
| Leistung - max | 1.5W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | 3-PowerMiniMold |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB @ 2GHz Gewinn 12dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 30GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz Gewinn 20dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 3.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
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