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BFP460E6327HTSA1

BFP460E6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFP460E6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BFP460E6327HTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ SOT343-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.508
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFP460E6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP460E6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFP460E6327HTSA1, BFP460E6327HTSA1 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 617,63 KB)
PDFBFP460H6433XTMA1 Datenblatt Cover
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BFP460E6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5.8V
Frequenz - Übergang22GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.7dB ~ 1.2dB @ 100MHz ~ 3GHz
Gewinn12.5dB ~ 26.5dB
Leistung - max230mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce90 @ 20mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketPG-SOT343-4

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Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.5dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 15mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.5dB

Leistung - max

1458W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

22A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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M112

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5dB @ 500MHz

Gewinn

53dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3, Formed Leads

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

MS1512

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

860MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

19.4W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

M122

Lieferantengerätepaket

M122

MS2477

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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