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ZTX325STZ

ZTX325STZ

Nur als Referenz

Teilenummer ZTX325STZ
PNEDA Teilenummer ZTX325STZ
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 5.472
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 18 - Jan 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

ZTX325STZ Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerZTX325STZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
ZTX325STZ, ZTX325STZ Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 52,18 KB)
PDFZTX325STZ Datenblatt Cover
ZTX325STZ Datenblatt Seite 2

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ZTX325STZ Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang1.3GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)5dB @ 500MHz
Gewinn53dB
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 2mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallE-Line-3, Formed Leads
LieferantengerätepaketE-Line (TO-92 compatible)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.8V

Frequenz - Übergang

22GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Gewinn

10dB ~ 14.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN

Lieferantengerätepaket

TSLP-6-1

2SC5066-O,LF

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SSM

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

BFP540E6327BTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

30GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Gewinn

25dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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