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KSC1730YBU

KSC1730YBU

Nur als Referenz

Teilenummer KSC1730YBU
PNEDA Teilenummer KSC1730YBU
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.948
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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KSC1730YBU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSC1730YBU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
KSC1730YBU, KSC1730YBU Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 41,37 KB)
PDFKSC1730YBU Datenblatt Cover
KSC1730YBU Datenblatt Seite 2 KSC1730YBU Datenblatt Seite 3 KSC1730YBU Datenblatt Seite 4

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KSC1730YBU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang1.1GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max250mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 5mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.7dB @ 800MHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

SMini3-F2

75109A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

3.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

200W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 2A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-422A

Lieferantengerätepaket

CDFM2

MRF5812G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

Gewinn

13dB ~ 15.5dB

Leistung - max

1.25W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

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