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BFR520,215

BFR520,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFR520,215
PNEDA Teilenummer BFR520-215
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.708
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 16 - Jan 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BFR520 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR520,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFR520, BFR520 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 163,05 KB)
PDFBFR520 Datenblatt Cover
BFR520 Datenblatt Seite 2 BFR520 Datenblatt Seite 3 BFR520 Datenblatt Seite 4 BFR520 Datenblatt Seite 5 BFR520 Datenblatt Seite 6 BFR520 Datenblatt Seite 7 BFR520 Datenblatt Seite 8 BFR520 Datenblatt Seite 9 BFR520 Datenblatt Seite 10 BFR520 Datenblatt Seite 11

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BFR520 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Gewinn-
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 20mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

Gewinn

13.5dB ~ 15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Gewinn

9dB ~ 14.5dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

9dB ~ 14dB

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 15mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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