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61032Q

61032Q

Nur als Referenz

Teilenummer 61032Q
PNEDA Teilenummer 61032Q
Beschreibung RF POWER TRANSISTOR
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 3.114
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

61032Q Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer61032Q
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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61032Q Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Transistortyp-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

870MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Micro-X ceramic (84C)

Lieferantengerätepaket

Micro-X ceramic (84C)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.6dB

Leistung - max

60W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M113

Lieferantengerätepaket

M113

62028

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MRF1090MB

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10.8dB

Leistung - max

90W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 2.5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

332A-03

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

550MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

17dB ~ 23dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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