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2SC5227A-5-TB-E

2SC5227A-5-TB-E

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC5227A-5-TB-E
PNEDA Teilenummer 2SC5227A-5-TB-E
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP
Hersteller ON Semiconductor
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2SC5227A-5-TB-E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC5227A-5-TB-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
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2SC5227A-5-TB-E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB @ 1GHz
Gewinn12dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce135 @ 20mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket3-CP

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

18GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz

Gewinn

9.5dB ~ 11.5dB

Leistung - max

130mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

3-SuperMiniMold (M33)

AT-41532-TR1

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Gewinn

9dB ~ 15.5dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.3dB @ 1GHz

Gewinn

8.3dB

Leistung - max

1.8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

BF240

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

NE67739-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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-

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