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NESG2046M33-T3-A

NESG2046M33-T3-A

Nur als Referenz

Teilenummer NESG2046M33-T3-A
PNEDA Teilenummer NESG2046M33-T3-A
Beschreibung RF TRANS NPN 5V 18GHZ 3SMINMOLD
Hersteller CEL
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Auf Lager 2.934
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NESG2046M33-T3-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNESG2046M33-T3-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NESG2046M33-T3-A, NESG2046M33-T3-A Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 287,41 KB)
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NESG2046M33-T3-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5V
Frequenz - Übergang18GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz
Gewinn9.5dB ~ 11.5dB
Leistung - max130mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce140 @ 2mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket3-SuperMiniMold (M33)

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

3.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-445C

Lieferantengerätepaket

CDFM2

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

KSC2757RMTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

EC4H08C-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

24GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

50mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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