NESG2046M33-T3-A
Nur als Referenz
| Teilenummer | NESG2046M33-T3-A |
| PNEDA Teilenummer | NESG2046M33-T3-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5V 18GHZ 3SMINMOLD |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.934 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 10 - Feb 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NESG2046M33-T3-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NESG2046M33-T3-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
NESG2046M33-T3-A, NESG2046M33-T3-A Datenblatt
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NESG2046M33-T3-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5V |
| Frequenz - Übergang | 18GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
| Gewinn | 9.5dB ~ 11.5dB |
| Leistung - max | 130mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 140 @ 2mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 3-SuperMiniMold (M33) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.5dB Leistung - max 300W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 2A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Betriebstemperatur 250°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M218 Lieferantengerätepaket M218 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB @ 2GHz Gewinn 13dB ~ 7.5dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 7mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15mA Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
