NESG2046M33-T3-A Datenblatt
CEL Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 18GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz Gewinn 9.5dB ~ 11.5dB Leistung - max 130mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 140 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 3-SuperMiniMold (M33) |
CEL Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 18GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz Gewinn 9.5dB ~ 11.5dB Leistung - max 130mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 140 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 3-SuperMiniMold (M33) |