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EC4H08C-TL-H

EC4H08C-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer EC4H08C-TL-H
PNEDA Teilenummer EC4H08C-TL-H
Beschreibung RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.068
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EC4H08C-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerEC4H08C-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
EC4H08C-TL-H, EC4H08C-TL-H Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 252,13 KB)
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EC4H08C-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3.5V
Frequenz - Übergang24GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB @ 2GHz
Gewinn17dB
Leistung - max50mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 5mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-UFDFN
Lieferantengerätepaket4-ECSP1008

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

42106HS

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BF240_D74Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BFQ790H6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6.1V

Frequenz - Übergang

1.85GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.6dB @ 1.8GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

1.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

NE68018-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

10.2dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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