EC4H08C-TL-H
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| Teilenummer | EC4H08C-TL-H |
| PNEDA Teilenummer | EC4H08C-TL-H |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.068 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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EC4H08C-TL-H Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | EC4H08C-TL-H |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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EC4H08C-TL-H Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 3.5V |
| Frequenz - Übergang | 24GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.5dB @ 2GHz |
| Gewinn | 17dB |
| Leistung - max | 50mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 15mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-UFDFN |
| Lieferantengerätepaket | 4-ECSP1008 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz Gewinn 9dB ~ 18dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-86 Lieferantengerätepaket 86 Plastic |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9dB Leistung - max 87.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.6A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M115 Lieferantengerätepaket M115 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz Gewinn 10dB ~ 13.5dB Leistung - max 600mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 35mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD (35 micro-X) Lieferantengerätepaket 35 micro-X |
