NSVF4020SG4T1G
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| Teilenummer | NSVF4020SG4T1G |
| PNEDA Teilenummer | NSVF4020SG4T1G |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.280 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSVF4020SG4T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSVF4020SG4T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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NSVF4020SG4T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 8V |
| Frequenz - Übergang | 16GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 1GHz |
| Gewinn | 17.5dB |
| Leistung - max | 400mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | SC-82FL/MCPH4 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.8V Frequenz - Übergang 65GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 21dB ~ 10dB Leistung - max 185mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 50mA, 1.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
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