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UPA800T-T1

UPA800T-T1

Nur als Referenz

Teilenummer UPA800T-T1
PNEDA Teilenummer UPA800T-T1
Beschreibung RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO
Hersteller CEL
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Auf Lager 2.502
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

UPA800T-T1 Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUPA800T-T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
UPA800T-T1, UPA800T-T1 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 771,48 KB)
PDFUPA800T-A Datenblatt Cover
UPA800T-A Datenblatt Seite 2 UPA800T-A Datenblatt Seite 3 UPA800T-A Datenblatt Seite 4 UPA800T-A Datenblatt Seite 5

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UPA800T-T1 Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket6-SO

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.5dB

Leistung - max

1450W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55KT

Lieferantengerätepaket

55KT

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M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.58dB

Leistung - max

188W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

NE67818-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

-

MT4S300U(TE85L,O,F

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4V

Frequenz - Übergang

26.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.55dB @ 2GHz

Gewinn

16.9dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

USQ

AT-42086-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

9dB ~ 13dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

86 Plastic

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