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SD1446

SD1446

Nur als Referenz

Teilenummer SD1446
PNEDA Teilenummer SD1446
Beschreibung RF TRANS NPN 18V M113
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.056
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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SD1446 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSD1446
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
SD1446, SD1446 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 387,74 KB)
PDFSD1446 Datenblatt Cover
SD1446 Datenblatt Seite 2 SD1446 Datenblatt Seite 3 SD1446 Datenblatt Seite 4 SD1446 Datenblatt Seite 5 SD1446 Datenblatt Seite 6 SD1446 Datenblatt Seite 7

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SD1446 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)18V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn10dB
Leistung - max183W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 5A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallM113
LieferantengerätepaketM113

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MS1512

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

860MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

19.4W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

M122

Lieferantengerätepaket

M122

MS1008

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

30MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

233W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1.4A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M164

Lieferantengerätepaket

M164

KSC1674RBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

45GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.95dB @ 1.8GHz

Gewinn

22.5dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Lieferantengerätepaket

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