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BFR505T,115

BFR505T,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFR505T,115
PNEDA Teilenummer BFR505T-115
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 9GHZ SC75
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.300
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFR505T Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR505T,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFR505T, BFR505T Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 274,2 KB)
PDFBFR505T Datenblatt Cover
BFR505T Datenblatt Seite 2 BFR505T Datenblatt Seite 3 BFR505T Datenblatt Seite 4 BFR505T Datenblatt Seite 5 BFR505T Datenblatt Seite 6 BFR505T Datenblatt Seite 7 BFR505T Datenblatt Seite 8 BFR505T Datenblatt Seite 9 BFR505T Datenblatt Seite 10 BFR505T Datenblatt Seite 11

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BFR505T Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)18mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketSC-75

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

9.6dB ~ 13.5dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

BF959ZL1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

700MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB @ 200MHz

Gewinn

-

Leistung - max

625mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

60168

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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