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NE68019-T1

NE68019-T1

Nur als Referenz

Teilenummer NE68019-T1
PNEDA Teilenummer NE68019-T1
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT523
Hersteller CEL
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Auf Lager 7.632
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE68019-T1 Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE68019-T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE68019-T1, NE68019-T1 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 901,45 KB)
PDFNE68030-T1-R45-A Datenblatt Cover
NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 2 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 3 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 4 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 5 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 6 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 7 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 8 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 9 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 10 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 11

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NE68019-T1 Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang10GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gewinn9.6dB ~ 13.5dB
Leistung - max100mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-523
LieferantengerätepaketSOT-523

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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TO-236AB (SOT23)

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

45W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 2A, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-443A

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

20dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

800 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

13W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

4.5GHz ~ 5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

Gewinn

10dB @ 1GHz

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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