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BFU520AVL

BFU520AVL

Nur als Referenz

Teilenummer BFU520AVL
PNEDA Teilenummer BFU520AVL
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU520AVL Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU520AVL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU520AVL, BFU520AVL Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 293,73 KB)
PDFBFU520AVL Datenblatt Cover
BFU520AVL Datenblatt Seite 2 BFU520AVL Datenblatt Seite 3 BFU520AVL Datenblatt Seite 4 BFU520AVL Datenblatt Seite 5 BFU520AVL Datenblatt Seite 6 BFU520AVL Datenblatt Seite 7 BFU520AVL Datenblatt Seite 8 BFU520AVL Datenblatt Seite 9 BFU520AVL Datenblatt Seite 10 BFU520AVL Datenblatt Seite 11

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BFU520AVL Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang10GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB @ 1.8GHz
Gewinn12.5dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

33V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

5.5dBi

Leistung - max

260W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M168

Lieferantengerätepaket

M168

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

270mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

TAN500

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

2500W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

55ST

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB

Leistung - max

60W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

211-07

Lieferantengerätepaket

211-07, STYLE 1

2SC22950BL

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

250MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.8dB ~ 4dB @ 5MHz

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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