MRF581
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| Teilenummer | MRF581 |
| PNEDA Teilenummer | MRF581 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 22.507 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MRF581 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MRF581 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MRF581 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 18V |
| Frequenz - Übergang | 5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz |
| Gewinn | 13dB ~ 15.5dB |
| Leistung - max | 1.25W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 50mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 200mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Micro-X ceramic (84C) |
| Lieferantengerätepaket | Micro-X ceramic (84C) |
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Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz Gewinn 12.5dB ~ 14.5dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 2.7V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 32mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 500MHz Gewinn 13dB ~ 15.5dB Leistung - max 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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