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PN3563_D75Z

PN3563_D75Z

Nur als Referenz

Teilenummer PN3563_D75Z
PNEDA Teilenummer PN3563_D75Z
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.894
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PN3563_D75Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPN3563_D75Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
PN3563_D75Z, PN3563_D75Z Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 528,99 KB)
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PN3563_D75Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang1.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn14dB ~ 26dB
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 8mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

BFR 183W E6327

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

18.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

Gewinn

16.5dB

Leistung - max

1.8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PW-MINI

SD1275-01

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M113

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M113

BFR340L3E6327XTMA1

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.15dB @ 1.8GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

60mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

PG-TSLP-3-1

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