BFS17W,135
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| Teilenummer | BFS17W,135 |
| PNEDA Teilenummer | BFS17W-135 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ SOT323-3 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.884 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFS17W Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFS17W,135 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFS17W Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 1.6GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 4.5dB @ 500MHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 25 @ 2mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-323-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 20dB Leistung - max 1.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-dBGA (2x1.5) |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 75V Frequenz - Übergang 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.4dB Leistung - max 270W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55KT Lieferantengerätepaket 55KT |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6.5dB @ 60MHz Gewinn 14dB @ 200MHz Leistung - max 350W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92 |
Hersteller ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.5V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 2GHz Gewinn 17dB Leistung - max 120mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket SC-82FL/MCPH4 |
